GaN HEMT pour station de base |
Applications 3G,LTE,Wimax- 0,9 à 3,5 Ghz |
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- 0,9 à 3,5 Ghz |
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- Puissance jusqu'a 320w (sat) |
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- Gain : 16db@2,6GHz , étage 210W |
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- Tension de fonctionnement 50v |
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- Impédance de charge 15 à 200 ohms (adaptation large bande) |
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- Haut rendement : 60-70% ( adaptation classe F)
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- 0,9 à 3,5 Ghz |
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- Impédance de charge 5 à 20 ohms ( adaptation aisée) |
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- Puissance jusqu'à 180w (P3dB) |
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- Haut rendement |
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- Faible résistance thermique |
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-0,9 à 3,5 GHz |
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- Puissance jusquà 320W |
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- large bande 200Mhz ( bande L), 400MHz (bande S) |
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- Tension de fonctionnement 50v |
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- Rendement : 50% |
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- Faible résistance thermique |
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- Bande C à Bande Ku |
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- Adaptés entrée / sortie ( 50 ohms) |
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- Séries boitier métallique hermétique , séries boitier plastique |
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- Puissance jusqu'à 60 W |
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- Faible distortion |
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- Jusqu'à la bande X |
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- Gain @G1dB 8 à 19 dB |
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- Amplification de moyenne puissance , oscillateur |
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- Puissance @P1dB 15 à 24 dBm |
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- Boitier hermetique métal/céramique |
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- Versions "chip" |
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- 4 à 12 GHz |
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- Très faible bruit ( 1,2 dB@12GHz, 0,3 dB@4GHz) |
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- Haut gain associé ( 13,5 dB@12 GHz; 15,5dB@4GHz) |
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- Boitiers et "chip" |
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- Bande Ku à V |
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- Faible bruit (2,3dB@12-16 GHz; 5dB@57-64Ghz) |
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- version "chip |
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- Bande C à Ka ( boitier)
- Bande C à V ( "chip") |
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- Jusqu'à 2W ( boitier); 3W ( "chip") |
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- Adaptés 50 ohms entrée/sortie |
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- Grand gain |
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- Faible distortion |
MMICs convertisseur Ku à Ka |
- 20 à 30 GHz |
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- Large bande |
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- Grand gain de conversion |
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-Faible distortion |
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- Montage de surface ou " chip" |
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- 20 à 30 GHz |
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- Large bande |
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- Haut gain de conversion |
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- 15 à 24,5 GHz |
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- Puissance de sortie +5dBm ( Vdd=4V) |
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- Bruit de phase = - 100dBc/Hz @100kHz |
Transistors LDMOS de puissance |
- 0,5 à 1,5 GHz |
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- Puissance jusqu' 600W |
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- Grand gain ( 19dB@80MHz, 600W) |
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- Configuration " single ended" ou "push-pull" |
Transistors VDMOS de puissance |
- 175MHz à 1 GHz |
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- Grand gain ( 16dB@175MHz, 300W) |
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- Configuration " single ended" ou "push-pull" |
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- 1,6MHz à 140 MHz |
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